质子SEU率计算模型及其对比

摘要：

本文首先介绍了计算质子单粒子翻转(SEU)率的三种模型——优质因素(FOM)模型、J.Barak的模型和Philippe Calvel的模型，然后对通过重离子数据计算质子翻转横截面以及SEU率的理论依据进行了说明,最后阐述了三种模型的适用范围并对比了它们的优缺点。

关键词： 集成电路 芯片设计 单粒子翻转

作者: 汪俊 师谦 邓文基

作者单位: 华南理工大学微电子所,广东广州,510640 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广东广州 510610 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广东广州 510610 华南理工大学微电子所,广东广州,510640

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十四届青年学术年会

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 40-43

在线出版日期: 2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）