一种改进的GCNMOS ESD保护结构

摘要：

本文提出了一种利用栅极耦合技术的改良型GCNMOS抗ESD设计技术,并将该技术的实际应用结构与传统的栅极接地结构进行了对比和实验,在TSMC 0.25工艺流片后测试抗ESD能力可达8kV。

关键词： 集成电路 芯片设计 接地结构 栅极耦合

作者: 单悦尔 薛忠杰 于宗光

作者单位: 江南大学信息工程学院 江苏 无锡 214036 中国电子科技集团公司第58研究所 江苏 无锡 214035 中国电子科技集团公司第58研究所 江苏 无锡 214035 中国电子科技集团公司第58研究所 江苏 无锡 214035 江南大学信息工程学院 江苏 无锡 214036

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十四届青年学术年会

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 34-39

在线出版日期: 2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）