可制造设计及其在深亚微米阶段的挑战
本文主要对可制造设计起源、研究现状及器件进入深亚微米阶段及纳米阶段可制造设计所面临的挑战进行了详细的分析说明,首先对其起源和研究现状进行了介绍,然后对器件深亚微米阶段可制造设计所面临的问题中的两个例子—随机缺陷和图像扭曲做了解释。可以看出,可制造设计对集成电路设计以及整个集成电路产业都将产生非常重要的影响。
集成电路 芯片设计 电路制造 可制造设计
汪俊 姚若河 邓文基 师谦
华南理工大学微电子所,广东广州,510640 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广东广州 510610
国内会议
广州
中文
29-33
2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）