在提高芯片电磁兼容性方面的物理设计研究
本文主要从集成电路的物理设计入手,通过分析电磁干扰发生的三个方面——干扰源、耦合路径及干扰设备,找出芯片电磁干扰的主要问题,给出了相应的防治措施,并提出一种在标准单元布局的芯片标准单元电源地之间增加去耦电容的方法,来减小因为器件高速开关引起的电压波动,达到减小电磁噪声的目的.实验结果表明,这种方法在不增加额外的芯片面积的情况下,对减小瞬时开关噪声有较好的效果。
集成电路 芯片设计 电磁兼容 去耦电容
邵金梓 张其 杨军
东南大学 国家专用集成电路系统工程技术研究中心 江苏南京 210096
国内会议
广州
中文
19-23
2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）