国产VDMOS辐射效应研究

摘要：

本文对国产抗辐照VDMOS锎源辐照试验结果和制作工艺进行了分析,深入研究了SEB和TID的机理,给出了大功率VDMOS抗单粒子辐照的加固方法,为新卫星电源分系统的可靠性研究打下了良好基础。

关键词： 航天电子 电子器件 场效应期间 抗辐射效应

作者: 刘刚 王立新 韩郑生 夏洋

作者单位: 中国科学院微电子研究所 北京 100029

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十四届青年学术年会

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 9-11

在线出版日期: 2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）