掺银SnS薄膜的制备和性能
采用真空熟蒸发法在玻璃基片上分别蒸镀一层SnS薄膜和一层Ag薄膜,在300℃的真空炉中退火2h后,制备出SnS:Ag薄膜.通过改变银的蒸发电压(60V～70V),以实现不同掺杂浓度的SnS:Ag薄膜.采用XRD对制备的薄膜进行物相分析,结果表明,所制得的薄膜是具有正交结构的SnS多晶薄膜,在(111)晶面上有很强的择优取向,且当银的蒸发电压提高时,薄膜中会出现Ag2S的衍射峰.光电性能研究表明,室温下,随着银的蒸发电压的增大,SnS:Ag薄膜的载流子浓度增大,由银的蒸发电压为60V时的1.271×1015 cm-3增大到70V时的1.035×1016cm-3;而其电阻率减小,由银的蒸发电压为60V时的3860cm减小到70V时的1070cm;但薄膜的导电类型不变,仍为p型.SnS:Ag薄膜的光学带隙Eg随着银的蒸发电压的增大呈非线性下降.
半导体特性 真空熟蒸发法 多晶薄膜 导电类型 光学带隙
贾宏杰 程树英
福州大学物理与信息工程学院,福建,福州,350108
国内会议
杭州
中文
29-33
2008-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）