ZnO压敏薄膜晶界效应研究

摘要：

对GDARE法制备的ZnO薄膜样品进行不同热处理时间的压敏特性、交流阻抗谱测试,结果表明不同的热处理时间对薄膜的I-V非线性特性有重要影响,热处理时间延长,薄膜晶界电阻不断下降.文章讨论了薄膜晶界处吸附气体电荷浓度对晶界处形成的势垒高度的影响.建立不同热处理时间下ZnO压敏薄膜晶界势垒模型,得出热处理时间对ZnO薄膜晶界效应的影响机理.

关键词： 氧化锌薄膜 压敏电压 势垒模型 热处理 晶界效应

作者: 王月乐 陆慧 林贤

作者单位: 华尔理工大学理学院,上海 200237

会议类型: 国内会议

会议名称: 第11届全国固体薄膜会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 23-28

在线出版日期: 2008-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）