Ga掺杂对直流反应磁控溅射ZnO薄膜性能的影响

摘要：

利用直流反应磁控溅射技术在玻璃上制备了高透过率和低电阻率的ZnO:Ga薄膜,研究了溅射压强对ZnO:Ga透明导电薄膜电学性能的影响,并通过与未掺杂ZnO薄膜的比较,研究了Ga掺杂元素对ZnO薄膜结构、光学性能的作用。Hall测试表明沉积压强为1.5Pa时制备的薄膜电阻率最低,通过进一步分析载流子浓度、薄膜晶粒尺寸与迁移率的关系,表明直流磁控溅射ZnO:Ga薄膜的载流子迁移率主要由晶界处电荷缺陷引起的晶界散射所限制.所制备的ZnO:Ga薄膜与未掺杂ZnO薄膜在可见光区的透过率均大于90％,但与未掺杂ZnO薄膜相比,ZnO:Ga薄膜吸收边发生明显的蓝移.

关键词： 氧化锌 透明导电薄膜 磁控溅射 载流子迁移率 薄膜性能 电学性能 晶粒尺寸

作者: 别勋 龚丽 吕建国 刘伟昌 林兰 叶志镇 赵炳辉

作者单位: 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州 310027 浙江大学硅材料国家重点实验室, 杭州 310027

会议类型: 国内会议

会议名称: 第11届全国固体薄膜会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 18-22

在线出版日期: 2008-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）