退火实现蓝宝石衬底N-Al共掺ZnO薄膜的p转变

摘要：

通过在O2气氛下高温后退火,将采用螺旋波等离子体辅助射频磁控溅射技术在蓝宝石衬底上低温生长的n型N-Al共掺ZnO薄膜转化为p型导电.Hall测量显示p型ZnO薄膜的载流子浓度为2.1×1016 cm-3,电阻率51.8 O·cm,迁移率5 cm2/V·s.X射线衍射(XRD)结果显示薄膜为c轴择优取向生长.X射线光电子能谱(XPS)表明退火使Zn-N键的相对数量增加.O2气氛下高温后退火削弱了自补偿效应并增加了N受主,是薄膜具有p型导电的主要原因.

关键词： 射频磁控溅射 蓝宝石衬底 低温生长 载流子 自补偿效应 氧化锌薄膜 p型导电

作者: 于威 张丽 张锦川 张子才 刘洪飞 傅广生

作者单位: 河北大学物理科学与技术学院,保定 071002

会议类型: 国内会议

会议名称: 第11届全国固体薄膜会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 9-11

在线出版日期: 2008-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）