应用于径向电池的硅纳米棒的定向生长

摘要：

本文采用磁控溅射和热丝化学气相沉积(HWCVD)技术,通过控制生长基元在衬底上的掠角入射,利用影蔽效应,成功制备了定向生长的非晶和微晶硅纳米棒。系统分析了沉积气压、射频功率、衬底转速和氢稀释度对纳米棒结构和形貌的影响。扫描电子显微镜(SEM)结果表明:对磁控溅射技术,增加沉积气压,使得硅纳米棒的直径减小,密度增加,而增加射频功率作用相反；采用氢稀释HWCVD技术,获得了垂直衬底表面生长的晶化硅纳米棒。

关键词： 硅纳米棒 掠射角沉积 磁控溅射 化学气相沉积

作者: 马艳红 刘丰珍 朱美芳 刘金龙

作者单位: 中国科学院研究生院,北京 100049

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届中国太阳能光伏会议

会议地点: 常州

会议语种:中文

页码: 740-743

在线出版日期: 2008-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）