直流磁控溅射法制备ITO薄膜的研究

摘要：

在玻璃衬底上用直流反应磁控溅射法制备了钢锡氧化物(ITO)薄膜,用四探针测试仪、紫外可见分光光度计、X射线衍射等对薄膜样品进行了表征,研究了工艺条件中溅射功率、氧分压、工作气压对薄膜光电性能的影响,优化了ITO的制备工艺参数。制得了禁带宽度为3.9～4.0eV、电阻率为1.0～1.2×10-4Ω·cm、可见光区平均透过率达82％的光电性能优良的ITO薄膜。

关键词： 电阻率 透光率 直流磁控溅射 光电性能 薄膜制备

作者: 王生浩 郑家贵 蔡伟 王波 冯良桓 张静全 蔡亚平 雷智 黎兵 武莉莉 李卫

作者单位: 四川大学材料科学与工程学院,四川 成都,610064

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届中国太阳能光伏会议

会议地点: 常州

会议语种:中文

页码: 717-721

在线出版日期: 2008-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）