直流磁控溅射法制备新型窄带隙光伏材料β-FeSi2研究
本实验采用室温对靶直流磁控溅射Fe-Si组合靶的方法,并经过后续气氛退火,在单晶Si(100)上生长β-FeSi2薄膜。主要研究了退火时间、升温速率和退火温度等因素对材料结构和电学特性的影响,结果表明:退火温度和时间的控制是获得单一相β-FeSi2薄膜的关键因素,升温速率在一定程度上可以调控薄膜电学特性。本实验得到的P型β-FeSi2薄膜的载流子浓度5.75×1016cm-3,空穴迁移率168cm2/Vs,禁带宽度0.879eV,吸收系数在光子能量1.0eV时达到了1.42×105cm-1.基于以上优异的光电性能,该β-FeSi2薄膜可望用作太阳电池的吸收层。
直流磁控溅射 太阳能电池 光伏材料 禁带宽度 空穴迁移率
郁操 侯国付 薛俊明 孙健 赵颖 耿新华
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电信息技术科学教育部重点实验室,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071
国内会议
常州
中文
697-701
2008-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）