GeH4和GeF4制备P型微晶硅锗薄膜的研究
本文介绍了SiH4+GeH4和SiH4+GeF4两种反应气体系列制备p型微晶硅锗薄膜的研究结果。实验采用VHF-PECVD技术,以B2H6为掺杂气体,通过改变GeH4和GeF4的流量制备出不同锗含量的系列材料,比较两种反应气体对p型微晶硅锗薄膜特性的影响。通过Raman、XRF并结合电导率测试表征材料的结构、锗含量和电学特性。结果发现,以GeF4作为反应气体有利于材料的晶化,而在电学特性方面,一定量的GeF4有利于电导率的提高。这些结果表明GeF4在微晶硅锗薄膜生长反应中起到了特殊的作用,相对于传统的以GeH4为源气体的硅锗制备工艺具有一定的优势。通过优化工艺,获得了锗含量20％、电导率0.46S/cm、长波透过率超过80％的p型微晶硅锗材料。
微晶硅锗 薄膜特性 薄膜制备 薄膜生长
张鑫 张建军 张丽平 尚泽仁 孙健 耿新华 赵颖
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电信息技术科学教育部重点实验室,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津市 300071
国内会议
常州
中文
627-629
2008-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）