GaSb多晶薄膜的性质研究

摘要：

本文采用共蒸发方法制备GaSb薄膜。XRD测试结果表明,薄膜为多晶结构,具有(111)择优取向；随着衬底温度的升高,薄膜晶粒尺寸增大；光学测试表明,薄膜的吸收系数达到104cm-1,制备的薄膜的光学带隙为0.726eV；Hall测试表明薄膜导电类型为P型；在350温度下退火后,薄膜晶体质量劣化,表面的Sb含量增加。

关键词： 锑化镓 共蒸发 择优取向 光学带隙 多晶薄膜

作者: 乔在祥 孙云 何炜瑜 刘玮 何青 李长健

作者单位: 南开大学信息技术科学学院光电子研究所 天津 300071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届中国太阳能光伏会议

会议地点: 常州

会议语种:中文

页码: 623-626

在线出版日期: 2008-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）