AlSb多晶薄膜的性质表征
本文研究用于太阳电池的AlSb多晶薄膜的性质.用几何靶磁控溅射方法在石英玻璃衬底上沉积了约460nm厚的AlSb薄膜,然后在580-650℃的温度下进行了1个小时的真空退火处理。X射线衍射谱显示退火后的AlSb多晶薄膜为闪锌矿结构,平均晶粒尺寸约31nm.Hall效应测试结果表明薄膜为P型半导体。用原子力显微镜观察到薄膜的表面平整。通过紫外-可见光透射谱计算得到其间接禁带宽度为1.53eV。实验结果说明了用简单方法制备AlSb多晶薄膜的的可行性和其在太阳电池中的应用潜力。
多晶薄膜 太阳能电池 磁控溅射
杨凯 李卫 蔡亚平 黎兵 郑家贵 武莉莉 张静全 冯良桓 雷智 王静雅 徐福 施琼 蔡伟
四川大学材料科学与工程学院,四川,成都,610064
国内会议
常州
中文
619-622
2008-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）