化学水浴法制备Cu(In,Ga)Se2薄膜电池ZnS缓冲层的研究
在钠钙玻璃衬底上采用化学水浴法(CBD)沉积了硫化锌(ZnS)薄膜.研究了氨水(NH4OH)浓度、振荡速度等工艺条件对ZnS薄膜质量的影响。SEM和XRD测试结果表明:ZnS薄膜的表面形貌与NH4OH浓度有很大的关系。在适中的NH4OH浓度下,才能沉积出均匀、透明、含有较少杂质的ZnS薄膜。同时,随着振荡速度的加快,ZnS薄膜的厚度增加,薄膜表面白色沉淀颗粒的数量也明显增多。通过工艺参数的优化,制备了能够作为铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池缓冲层的ZnS薄膜。
化学水浴沉积 硫化锌薄膜 薄膜太阳能电池
曹章轶 徐传明 王小顺 叶晓军
上海空间电源研究所,上海 200233
国内会议
常州
中文
557-561
2008-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）