后硒化法制备CIGS薄膜中的元素损失机制

本文通过在线电阻监测方法,结合XRD、XRF测试结果,研究固态Se源后硒化法制备CIGS薄膜中的元素损失机制,表明InGa共存时Mo/Ga/In结构中的Se扩散速率高于Mo/In/Ga结构;元素损失率与沉积顺序有关;同时证实了提高硒化升温速率可有效降低元素损失的比例,为降低后硒化法制备CIGS薄膜的元素损失提供了理论依据。
薄膜制备 元素损失 硒化过程 在线电阻监测
刘玮 孙云 何青 李凤岩 乔在祥 刘芳芳 李长健 田建国
南开大学信息技术科学学院光电子研究所 南开大学物理学院光子学中心 天津,中国,300071
国内会议
常州
中文
550-553
2008-09-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)