电沉积Cu(In,Ga)Se2薄膜的后硒化

摘要：

利用电化学沉积制备出贫铜和富铜的Cu(In,Ga)Se2薄膜,对制备的薄膜硒化退火来提高其光电性能。通过各种测试手段对制备的薄膜的组成成分、微观结构、表面形貌进行表征,结果表明在Se气氛下,采用物理气相沉积(PVD)的方法在富Cu预置层薄膜上沉积少量In、Ga后得到的薄膜其结晶质量和表面状况与贫Cu薄膜直接硒化处理相比有明显改善,并制备出效率6.8％的CIGS薄膜太阳电池。采用快速热处理(RTP)硒化进一步提高了薄膜的结晶性能,并能有效抑制Se的流失。

关键词： 太阳能电池 硒化 电化学沉积 光电性能 热处理

作者: 杨亮 敖建平 康峰 孙国忠 何青 孙云

作者单位: 南开大学光电子薄膜与器件研究所,天津 300071 大连交通大学材料学院,大连 116028 南开大学光电子薄膜与器件研究所,天津 300071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届中国太阳能光伏会议

会议地点: 常州

会议语种:中文

页码: 536-539

在线出版日期: 2008-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）