低温制备Cu(InzGa1-z)Se2薄膜Na对Ga扩散的影响
在聚酰亚胺(PI)柔性衬底Cu(InxGa1-x)Se2(简称CIGS)薄膜的制备中,Na的掺入和Ga的扩散对于薄膜特性的提升都至关重要。本文研究在低温沉积CIGS薄膜过程中,Na元素对于Ga扩散的影响。X光衍射(XRD)分析发现,在前掺Na制备的CIGS薄膜中,存在表面高Ga而内部低Ga的现象；小角度X光衍射(GIXRD)分析显示,CIGS的衍射峰随着深度的增加而逐渐左移。这一现象在无Na的CIGS薄膜中并不存在。XRD对比分析显示,掺入的Na越多,这一现象越明显；薄膜Ga/(Ga+In)越高,这一现象越容易出现。一系列分析表明,Na对于Ga的扩散有阻碍作用。
聚酰亚胺 柔性衬底 薄膜制备
姜伟龙 张力 何青 李凤岩 周志强 刘玮 李宝璋 李长健 孙云
南开大学信息技术科学学院光电子研究所,天津 300071
国内会议
常州
中文
532-535
2008-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）