Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳电池热退火工艺的研究
热退火是改善太阳电池性能的后处理工艺之一。本文研究了110℃～180℃(2min)条件下的空气热退火对不同成分比例Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池性能的影响。结果表明:对于不同成分的CIGS(正常、富Cu、高Ga)来说,150℃,2min的退火条件最利于电池性能的提高；其中,退火对富Cu电池的开路电压改善最大,这是因为空气热退火对消除部分的Cu2-xSe有积极作用,Hall及J-V测试表明,薄膜的电阻率有一定的提高,器件的JSC略有下降,但电池的并联电阻有所增加,从而提高了富Cu电池的开路电压；而对于高Ga电池来说,填充因子FF得到了明显地改善,这是因为高Ga样品的缺陷较多,退火会消除薄膜内部的部分缺陷,Hall及J-v测试表明薄膜的迁移率及JSC都有所提高。
薄膜太阳能电池 成分比例 二极管特性 退火工艺 开路电压
刘芳芳 孙云 王赫 何青 李长健 刘玮 李凤岩 周志强 李宝璋
南开大学信息技术科学学院光电子研究所,天津 300071
国内会议
常州
中文
515-518
2008-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）