CdS/CdTe薄膜太阳电池的深能级瞬态谱研究

摘要：

本文制作了以共蒸发Cu2Te、掺杂石墨为背接触层的两种CdS/CdTe薄膜太阳电池。用深能级瞬态谱研究了它们的深能级中心。在以共蒸发Cu2Te为背接触的器件中发现了五个深中心,其中四个的能级位置是EC-0.574eV、EC-0.341eV、EV+0.147eV、EC-0.226eV；在以掺杂石墨为背接触的器件中发现了六个深中心,其中两个的能级位置是EC-0.077eV和EV+0.223eV。

关键词： 深能级中心 深能级瞬态谱 薄膜太阳能电池

作者: 刘才 李卫 雷智 武莉莉 黎兵 冯良桓 郑旭 王钊 蔡亚平 郑家贵 蔡伟 张静全

作者单位: 四川大学材料科学与工程学院,四川 成都 610064

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届中国太阳能光伏会议

会议地点: 常州

会议语种:中文

页码: 510-514

在线出版日期: 2008-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）