氩稀释在PECVD高速沉积微晶硅薄膜中的作用

摘要：

研究了氩稀释对微晶硅薄膜沉积速率和晶化率的影响,结果表明,少量的氩稀释可以提高薄膜生长速率。增加氩气的流量,有利于促进薄膜晶化,但薄膜的生长速率降低。为了进一步认识氩在等离子体过程中对基元产生和分解的作用,采用光发射谱(OES)技术研究了氩稀释对硅烷和氢气混合气体等离子体发射光谱的影响,分析了氩稀释在PECVD高速沉积微晶硅薄膜中的作用。

关键词： 氩稀释 硅薄膜 高速沉积 微晶硅 光发射谱

作者: 孙振中 刘丰珍 朱美芳 刘金龙

作者单位: 中国科学院研究生院 北京 100049

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届中国太阳能光伏会议

会议地点: 常州

会议语种:中文

页码: 485-489

在线出版日期: 2008-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）