以Pw/Pg为组合变量的微晶硅薄膜的沉积相图
本文定义了一个组合参量,等离子体功率与气压的比值,Pw/Pg,并以Pw/Pg为主要变量,建立了射频PECVD制备硅薄膜的沉积相图。用光发射谱(OES)监测了等离子沉积过程,比较了不同沉积条件,相同Pw/Pg值下发光基元在等离子体中的空间分布,表明Pw/Pg是一个与等离子体中平均电子温度相关的组合参量,并通过单电子碰撞模型,揭示了相图所表达的物理本质。
硅薄膜 沉积相图 等离子体功率 微晶硅
孙振中 刘丰珍 周玉琴 朱美芳
中国科学院研究生院 北京 100049
国内会议
常州
中文
481-484
2008-09-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)