溶液法铝诱导非晶硅晶化机理初探
本文采用铝的化学盐溶液作为金属诱导源,实现了对LPCVD制备非晶硅薄膜的晶化。将实验条件对晶化效果的影响与XPS的测试结果结合,对溶液法化学源铝诱导晶化的机理进行了初步的探讨。得到的结论是在退火过程中,薄膜表面反应物中的Al原子首先被薄膜表面Si原子替换出来,并进人非晶硅薄膜内部与Si形成Al/Si固溶体,进而发生诱导晶化。晶化后的薄膜经过优化,可以用于多晶硅薄膜电池的制备,具有良好的应用前景。
诱导晶化 多晶硅薄膜 薄膜电池 溶液法
王烁 罗翀 孟志国 赵颖 熊绍珍
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电信息技术科学教育部重点实验室,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津 300071
国内会议
常州
中文
388-391
2008-09-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)