利用电子束蒸发法制备硅薄膜的研究

摘要：

利用电子束沉积法在普通玻璃衬底上沉积了a-Si/Al双层薄膜,然后在有氮气保护的不同退火温度条件下制备出多晶硅薄膜。利用拉曼光谱、XRD、SEM对薄膜进行了测试分析。实验结果表明,在铝金属诱导下,a-Si薄膜在450℃和500℃可以晶化,随着退火温度的升高和退火时间的增加,硅薄膜的晶化度加强。

关键词： 硅薄膜 铝诱导晶化 电子束蒸发 多晶硅

作者: 李明华 李军勇 陈达明 林杨欢 胡芸菲 沈辉

作者单位: 中山大学太阳能系统研究所 广东 广州 510006

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届中国太阳能光伏会议

会议地点: 常州

会议语种:中文

页码: 385-387

在线出版日期: 2008-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）