基于柔性衬底的P型微晶硅薄膜生长工艺的研究
硅基薄膜太阳电池采用聚酰亚胺薄膜为柔性衬底,由于具备低成本、高比功率的显著特点已成为目前太阳电池研究的重点。本论文所制备的柔性衬底倒结构非晶硅薄膜太阳电池是以P型微晶硅材料作为窗口层。所制备的太阳电池既可以拥有非晶硅本征层高吸收系数的特点,同时,微晶化的窗口层材料又具备良好的光电特性,并且以柔性材料作为衬底使得电池的应用领域得到了充分的扩展。本文工作采用RF-PECVD技术生长P型微晶硅材料,分析了P型微晶硅材料的沉积生长参数对其性能的影响,并研究了分层生长方法以及底层硅基薄膜材料对P型微晶硅材料的影响。将P型微晶硅薄膜材料应用于聚酰亚胺衬底薄膜太阳电池,得到了转换效率超过5％的柔性衬底倒结构非晶硅薄膜太阳电池。
微晶硅 柔性衬底 太阳能电池 薄膜生长
隋妍萍 张德贤 席强 陶科 薛颖 蔡宏琨 姜元建 王林申 赵敬芳
南开大学信息技术科学学院电子科学与技术系 天津 300071
国内会议
常州
中文
380-384
2008-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）