高沉积气压下氢化微晶硅薄膜的高速沉积

摘要：

利用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)制备了一系列微晶硅(μc-Si∶H)薄膜.研究分析了功率密度、硅烷浓度和气体流量在较高沉积气压(500Pa和600Pa)下对薄膜生长速率、结晶状况和电学特性的影响。研究表明:在高压强条件下,硅烷浓度和气体流量对沉积速率影响显著,而功率密度影响较弱；高沉积速率生长的薄膜孵化层较厚；电学特性较好的薄膜位于非晶/微晶过渡区.经过工艺的初步优化,在高压强(600Pa)条件下,使微晶硅薄膜的沉积速率提升到2.1nm/s。

关键词： 高速沉积 电学特性 微晶硅薄膜 等离子增强 化学气相沉积

作者: 申陈海 卢景霄 陈永生 郭学军 陈庆东

作者单位: 郑州大学物理工程学院,材料物理教育部重点实验室,河南 郑州 450052

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届中国太阳能光伏会议

会议地点: 常州

会议语种:中文

页码: 368-372

在线出版日期: 2008-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）