非晶硅薄膜及太阳电池的高速制备
在当前晶硅材料严重短缺、晶体硅太阳电池制造成本居高不下的背景下,硅薄膜电池技术得到了前所未有的重视和发展。在工业化生产过程中,实现高效稳定非晶硅薄膜的高速制备是降低电池制造成本的有效途径之一。本文介绍了在RF-PECVD系统上通过优化工艺条件制备出沉积速率在3(A)/S以上的器件质量级a-Si∶H薄膜材料,并在此基础上制备了面积为10*10cm2的集成串联型非晶硅薄膜太阳电池,其初始转换效率接近9％,稳定效率在6.5％以上,有望应用于硅薄膜电池的规模生产。
非晶硅薄膜 太阳能电池 高速沉积
章曙东 王永谦 张光春 施正荣
尚德电力控股有限公司,江苏 无锡 214082
国内会议
常州
中文
359-362
2008-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）