单室沉积p-i-n电池工艺中磷污染问题研究
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,研究了单室沉积下腔室磷污染的表现特征。由测试结果发现:单室沉积n层后随即沉积p层或者i层微晶硅,残余的磷将降低微晶p层材料的暗电导,而对本征微晶i层材料,磷会同时增大其暗电导和光电导,并降低晶化率,对单室中制备pin电池带来了不利影响。而沉积n材料后先沉积一层p型薄膜,随后再沉积微晶p层及其后微晶i层,磷对材料性能的影响则几乎消失,这为单室工艺中抑制磷污染与提高电池效率提供思路。
等离子体增强 化学气相沉积 磷污染 微晶硅 电池效率
孙福河 赵颖 张晓丹 许盛之 王光红 岳强 魏长春 孙建 耿新华 熊绍珍
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电信息技术科学教育部重点实验室,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071
国内会议
常州
中文
344-347
2008-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）