VHF-PECVD高速沉积非晶硅电池的研究
本文采用VHF-PECVD实现了高速沉积非晶硅电池,在保证材料质量的同时使得沉积速率达到10-20A/s。研究了气体滞留时间对于沉积速率的影响,特别是电极间距和沉积压力二者共同作用下对于沉积速率的影响。把获得的高速本征非晶硅材料应用到pin结构的电池中,在过渡区p层和p-μc-SiC∶H分别作为电池窗口层,没有ZnO增反背电极的情况下电池的效率分别达8.65％和8.78％。由于存在结构演变的原因,FF对于过渡区P层厚度的依赖大于后者。最后,把得到的高速非晶硅顶电池应用到非晶/微晶叠层电池中,初步获得的非晶/微晶叠层电池的效率为10.2％。
高速沉积 非晶硅电池 结构演变
李贵君 耿新华 侯国付 张晓丹 魏长春 孙建 韩晓艳 戴志华 陈飞 赵颖
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电信息技术科学教育部重点实验室,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071
国内会议
常州
中文
340-343
2008-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）