P型微晶硅薄膜材料的制备与优化
利用VHF-PECVD(75MHz)技术,采用高氢稀释SiH4、及B2H6掺杂的方法,在玻璃衬底上获得了厚度为50nm,电导率达到9.1S/cm,暗电导激活能小于0.035eV,拉曼晶化率超过40％的p层材料。单室工艺制备微晶硅单结电池中,用同样工艺条件沉积20nm厚的p层,获得了效率达到4.97％的电池。系列实验结果表明,随硼烷浓度的增加,材料的生长速度增加。薄膜的透过率在一定程度上受到有效硼掺杂的影响,低的有效掺杂,降低薄膜的透过率。
硼掺杂 微晶硅 薄膜材料 玻璃衬底
许盛之 赵庚申 耿新华 赵颖 张晓丹 孙福河 王光红 岳强 魏长春 孙建 张德坤 胡增鑫
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电信息技术科学教育部重点实验室,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071
国内会议
常州
中文
325-328
2008-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）