P型窗口层对NIP型非晶硅太阳电池性能的影响

摘要：

采用RF-PECVD技术,制备NIP型非晶硅太阳能电池。系统研究了P型窗口层的掺杂浓度(B2H6/SiH4)和氢稀释率(H2/SiH4)对电池开路电压(Voc)的影响,制备出Voc达到0.87V,FF达到0.66,效率为8.18％的NIP型非晶硅电池,将此沉积技术应用到不锈钢衬底,制备出初始效率为6.5％的单结非晶硅电池。

关键词： 非晶硅 不锈钢衬底 太阳能电池 掺杂浓度

作者: 赵鹏 薛俊明 倪牮 袁育杰 侯国付 孙建 张建军 赵颖 耿新华

作者单位: 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室 南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津 300071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届中国太阳能光伏会议

会议地点: 常州

会议语种:中文

页码: 322-324

在线出版日期: 2008-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）