Pulsed VHF-PECVD技术对微晶硅材料的结构及电学特性影响
在脉冲调制的PECVD技术中,脉冲调制频率和占空比(或开关时间比)是两个关键的参数。本文采用Pulsed VHF-PECVD技术制备了高速率微晶硅薄膜材料,通过对材料的结构特性、电学特性的研究,并结合光发射谱(OES)对等离子体辉光进行了监测,发现脉冲调制频率和占空比对微晶硅材料的微结构和电学特性都有一定的影响。
脉冲调制 微晶硅 太阳能电池 电学特性
王世锋 张晓丹 赵颖 魏长春 许盛之 孙建 耿新华
南开大学光电薄膜器件与技术研究所 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室 光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学),天津 300071
国内会议
常州
中文
316-321
2008-09-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)