硅异质结太阳电池中单晶硅表面织构的优化研究

摘要：

采用新型的刻蚀剂,碳酸钠(Na2CO3)和磷酸钠(Na3PO4·12H2O)实现了晶硅表面的织构。研究了刻蚀剂浓度、温度(T)、刻蚀时间(te)和添加剂对晶硅表面织构的影响,讨论了刻蚀机理。通过优化工艺,得到低的平均表面反射率(Rav):9.70％(NaOH)、9.76％(Na2CO3)和8.63％(Na3PO4·12H2O)。添加剂IPA在Na3PO4·12H2O或Na2CO3溶液中可明显地改善织构效果。将优化工艺应用到异质结太阳电池中,改善了电池的短路电流。

关键词： 单晶硅 反射率 太阳电池 表面织构 刻蚀剂

作者: 豆玉华 周玉琴 朱美芳 宋爽 刘丰珍 刘金龙

作者单位: 中国科学院研究生院,北京 100049 北京太阳能研究所,北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届中国太阳能光伏会议

会议地点: 常州

会议语种:中文

页码: 291-295

在线出版日期: 2008-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）