铸造多晶硅不同部位的少子寿命研究

摘要：

本文结合光学显微镜(OM)观察位错腐蚀坑,利用MWPCD对铸造多晶硅不同部位的样品少子寿命进行了分析。不同部位的样品的平均位错密度达105/cm2,顶部位错密度最高。不同部位的样品钝化后寿命均有提高,吸杂后寿命提高更多。底部原生样品”Fei”最高,位错密度最低,吸杂后寿命提高最显著。顶部样品因为高密度的位错,吸杂后寿命提高没有底部明显。”Fei”等过渡族金属杂质是影响少子寿命的主要因素,位错等缺陷密度限制吸杂寿命提高。

关键词： 铸造多晶硅 少子寿命 光学显微镜 位错腐蚀

作者: 王朋 杨德仁 李晓强 汪雷 阙端麟

作者单位: 浙江大学材料科学与工程系 硅材料国家重点实验室,杭州 310027

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届中国太阳能光伏会议

会议地点: 常州

会议语种:中文

页码: 276-279

在线出版日期: 2008-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）