热处理对p型单晶硅非晶SiC∶H钝化效果的影响

摘要：

研究了不同热处理条件对非晶氢化碳化硅薄膜(a-SiC∶H)对p型单晶硅钝化效果的影响,认为不同热处理条件影响了H在薄膜中的含量及向体硅的传输,进而影响了对体硅的钝化效果。

关键词： 表面钝化 热处理 单晶硅 氢化碳化硅薄膜

作者: 陈官璧 汪蕾 杨德仁

作者单位: 浙江大学材料科学与工程系 硅材料国家重点实验室,杭州 310027

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届中国太阳能光伏会议

会议地点: 常州

会议语种:中文

页码: 263-265

在线出版日期: 2008-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）