快速热处理条件下Cu沾污对多晶硅少子寿命的影响

摘要：

Cu是硅中最重要的快扩散金属杂质之一,本文研究了在快速热处理情况下下Cu沾污对多晶硅少子寿命的影响。低温下的Cu沾污(400℃、500℃)会是的多晶硅少子寿命上升,而高于这个温度的Cu沾污会引起少子寿命不同程度的下降,温度越高,寿命下降越厉害。另外,Cu沾污冷却速度对少子寿命也有影响,相同沾污温度下,淬冷样品寿命值要低于慢冷样品。

关键词： 铜沾污 多晶硅 少子寿命 热处理

作者: 李晓强 杨德仁 汪雷 阙端麟

作者单位: 浙江大学材料科学与工程系硅材料国家重点实验室,杭州,310027

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届中国太阳能光伏会议

会议地点: 常州

会议语种:中文

页码: 259-262

在线出版日期: 2008-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）