化学腐蚀和机械抛光方法改善硅片崩边的研究与应用

摘要：

边缘缺陷是多晶硅片生产中出现的主要缺陷之一。边缘缺陷会影响硅片外观,并进一步导致电池线制绒时的破片。经过长时间的观察,发现许多因素会影响太阳能级硅片的边缘缺陷,诸如:运输,带锯上的头尾截断,切片,去胶等等。试图改进开发新的工艺以减少由上述原因造成的边缘缺陷,例如:化学腐蚀和机械抛光,实验发现碱性腐蚀对硅片缺角、崩边改善效果最明显。

关键词： 太阳能级硅片 边缘缺陷 化学腐蚀 机械抛光 多晶硅片

作者: 贺园园 姚振民 刘振淮

作者单位: 硅片生产部,常州天合光能有限公司,江苏省 常州市 213031

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届中国太阳能光伏会议

会议地点: 常州

会议语种:中文

页码: 227-236

在线出版日期: 2008-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）