多晶硅片微晶区域对太阳能电池性能的影响

摘要：

本文研究了多晶硅片微晶区域对硅片少子寿命和电池性能的影响。作为晶界、位错和杂质三者聚集的微晶区域,是少数载流子的强复合中心,会严重影响硅片的少子寿命。微晶区域,尤其是晶界处,导电型SiC的生成会造成电池的严重漏电甚至PN结短路,严重影响电池性能。

关键词： 太阳能电池 多晶硅片 微晶区域 电池性能

作者: 蒋仙 李剑 孙世龙 陈如龙 张光春 施正荣

作者单位: 尚德电力控股有限公司,江苏无锡 214028

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届中国太阳能光伏会议

会议地点: 常州

会议语种:中文

页码: 187-191

在线出版日期: 2008-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）