晶体硅太阳电池旁路结分析
随着太阳电池使用的硅片越来越薄,硅片微观缺陷及太阳电池制造工艺引起的旁路结严重影响太阳电池的性能。本文对太阳电池中产生旁路结的原因及机理进行了分析,采用太阳电池双二极管模型,使用Matlab软件编写程序进行光照和无光照条件下模拟分析,旁路结引起的漏电流严重影响太阳电池的开路电压和填充因子。采用红外热像仪设备对正偏压条件下太阳电池表面温度进行测量,可以清晰显示旁路结漏电部位分布位置。
开路电压 并联电阻 饱和电流 太阳能电池 晶体硅
李军勇 梁宗存 赵汝强 金井升 李明华 沈辉
中山大学光电材料与技术国家重点实验室,太阳能系统研究所,广东省 广州 510006
国内会议
常州
中文
110-114
2008-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）