多晶硅太阳电池的酸腐绒面技术
目前,太阳能光伏市场中多晶硅(mc-Si)太阳电池所占据的份额是最大的。已经出现的mc-Si绒面技术主要有机械刻槽,等离子蚀刻以及激光刻槽和各向同性的酸腐蚀。机械刻槽的绒面方法要求硅片厚度在200μm以上,因为刻槽的深度一般在50μm的量级上所以它对硅片的厚度要求很高,这样的技术会增加材料成本。等离子蚀刻制备出绒面的陷光效果是非常好的,但是,它需要相对复杂的处理工序和昂贵的加工系统。在绒面的制作过程中,可能会引入机械应力和损伤,在后处理中形成缺陷.酸腐蚀绒面技术可以比较容易地整合到当前的太阳电池处理工序中,它应用起来基本上是成本最低的,最有可能广泛应用的mc-Si太阳电池绒面技术。
多孔硅膜 蚀刻深度 硅太阳能电池 酸腐绒面
刘新民
瀚悦上海化工有限公司,上海市 201108
国内会议
常州
中文
55-57
2008-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）