高稳定性单晶硅太阳能电池
对于硼掺杂的Cz法生长的单晶硅太阳能电池,当它暴露于光照或在黑暗中注入少数载流子时,电池性能会衰减,并最终达到一个稳定的效率。这种通常叫做光致衰减的现象为人们所熟知已经快30年了,其原因是Cz硅材料替位硼和间隙氧在光照或载流子注入的情况下形成了亚稳态深能级缺陷,降低少数载流子寿命和扩散长度。为避免这种情况,本文研究了掺镓Cz法生长的单晶硅太阳能电池制作和表征,并介绍了掺镓单晶硅太阳能电池和组件的光致衰减的特性。
单晶硅 硅太阳能电池 光致衰减 硼掺杂
汪义川 李剑 黄治国 吴而义 俞超 沈浩平 曾世铭 张光春 施正荣
尚德电力控股有限公司,江苏,无锡,214028 洛阳尚德太阳能电力有限公司,河南,洛阳,471000 天津市环欧半导体技术有限公司,天津,300000 常州美晶太阳能材料有限公司,江苏,213000
国内会议
常州
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51-54
2008-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）