热处理对晶体硅电池PECVD a-SiNz∶H薄膜氢钝化效果的影响
采用u-PCD测试晶体硅材料的少子寿命,研究了在磷扩散的P型多晶硅片上PECVD双面淀积氢化非晶氮化硅薄膜(a-SiNx∶H,简写为SiN),快速热处理工艺(RTP)以及在N2气氛中低温热处理SiN薄膜对多晶硅材料少子寿命的影响。进一步研究了N2气氛中,不同热处理温度以及热处理时间对SiN薄膜体氢钝化作用的影响。文中可以得出结论:虽然PECVD SiN薄膜在RTP工艺后少子有效寿命有大幅提高,但氢体钝化作用并没有达到最优,后续的低温短时间热处理可以在一定程度上提高SiN薄膜对晶体硅体氢钝化作用。
热处理 氢钝化 晶体硅电池 薄膜
张高洁 班群 王栩生 王景霄 宋登元
江苏林洋新能源有限公司,南通 226200 新南威尔士大学,悉尼 2052
国内会议
常州
中文
169-174
2008-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）