SiO2/SiNz叠层钝化晶体硅太阳能电池的研究

摘要：

为了减少硅片表面的悬挂键、降低表面复合速度,本文研究了在晶体硅衬底上低温热生长SiO2薄层的钝化效果,并且研究了SiO2/SiNx叠层对晶体硅表面的钝化作用。通过改变SiO2与SiNx薄层的厚度以及工艺条件,增强了对硅片的钝化以及光陷作用。最后通过合适的工艺条件,做出了适合工业化大规模生产的叠层钝化电池,电池分析表明,电池的短波响应明显提高,短路电流有近4％,同时开压也有约1％的提高,有效的提高了晶体硅太阳能电池的转换效率近3％。

关键词： 叠层钝化 太阳能电池 晶体硅

作者: 董经兵 胡宇 顾生刚 王栩生 王景宵

作者单位: 林洋新能源有限公司 江苏省启东市 226263 上海交通大学太阳能研究所 上海 200240

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届中国太阳能光伏会议

会议地点: 常州

会议语种:中文

页码: 162-164

在线出版日期: 2008-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）