高频存储器测试芯片设计
本文提出了一种高频存储器测试专用的扫描测试电路结构,该结构采用串行扫入数据,并行运算,串行扫出结果的流程,其中可调节的高频时钟,可以更精确地测试电路的工作频率。采用130nm CMOS工艺全定制设计实现了一种面积为1084×627.4μm2,主频达到600MHz的存储器测试芯片,模拟测试表明,该测试芯片能够准确验证存储器的性能.
高频存储器 测试芯片 描测试电路 电路结构 电路设计
韩园园 李振涛 陈吉华 刘客 吕韬
国防科技大学计算机学院 长沙 410073
国内会议
呼和浩特
中文
347-350
2008-08-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)