基于PDSOI工艺下的I/O设计

摘要：

课题的工作是X微处理器PAD的设计与验证.本文对三种不同类型的PAD的逻辑进行了对比分析,即输入PAD、输出PAD、双向PAD.由于该芯片对输入输出PAD的抗辐射能力有很高的要求,以及它的抗静电损坏能力和驱动能力都有一定的要求.因此在SOI工艺下设计这几种PAD,采用了抗辐照能力加固技术,最后通过模拟能达到预期的目标。

关键词： 微处理器 I/O设计 PDSOI工艺 双向PAD

作者: 陈川 赵振宇 刘必慰 陈吉华

作者单位: 国防科技大学计算机学院 长沙 410073

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届计算机工程与工艺全国学术年会(NCCET”08)

会议地点: 呼和浩特

会议语种:中文

页码: 98-101

在线出版日期: 2008-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）