基于0.25um工艺的I/O电路设计

摘要：

基于0.25 um工艺,本文通过分析I/O电路设计过程中遇到的功耗大、易触发Latch-up效应及ESD保护等问题,提出了可行的解决方案.

关键词： I/O电路 电路设计 电平转换

作者: 胡伟平 肖珂 张颖 陈跃跃

作者单位: 国防科技大学计算机学院 长沙 410073

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届计算机工程与工艺全国学术年会(NCCET”08)

会议地点: 呼和浩特

会议语种:中文

页码: 90-91

在线出版日期: 2008-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）