基于SOI工艺BTS结构的SRAM抗辐照设计与实现

摘要：

为了满足航天、军事方面对抗辐照的特殊要求,本文使用SOI工艺、BTS结构设计了一款8kbSRAM.本存储器设计主要有三个部分:存储单元、读写控制电路和译码电路.基于一种静态工作的电路,通过对三部分的设计和改进,设计出了一款用于航天、军事方面具有抗辐照性能的单端口存储器.

关键词： 8kbSRAM 存储器 抗辐照设计 SOI工艺 BTS结构

作者: 徐再林 李少青 蒋江 刘必慰

作者单位: 国防科技大学计算机学院,湖南长沙,410073

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届计算机工程与工艺全国学术年会(NCCET”08)

会议地点: 呼和浩特

会议语种:中文

页码: 48-50

在线出版日期: 2008-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）