16位抗辐照加固微处理器及接口电路设计
本文介绍16位抗辐照加固微处理器及接口电路芯片设计.为实现抗辐照指标要求,设计过程中针对单粒子和总剂量效应进行设计加固,采用PD-SOI工艺加工制造.辐照测试结果表明,芯片抗总剂量能力达到100Krad(Si),单粒子LET翻转阈值达到67MeV-cm2/mg,满足星载计算机系统使用要求.
微处理器 接口电路 抗辐照加固 制造工艺
邓玉良 李晓辉 裴国旭 杜明 郝跃 张轶强 李律 李萍 李炜 孙博文 胡镭 彭锦军
深圳市国微电子股份有限公司 518057 西安电子科技大学 710071
国内会议
呼和浩特
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1-2,19
2008-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）