会议专题

基于Agilent VEE的HEMT器件直流参数自动测试系统

AlGaN/GaN基HEMT(High Electron Mobility Transistor,高电子迁移率晶体管)器件在高温、高频、大功率方面具有广泛的应用前景,测量其直流特性是极其重要的一步,但是,由于仪器硬件方面的限制,数据不能方便、快捷的存储,以及由于直流测试步骤繁琐,面板操作复杂等一系列原因,给测试带来新的挑战,基于此,我们开发了一套针对HEMT器件的直流测试系统,对其输出、转移和肖特基特性的测试实现了一键式测量,加快了测试进程,具有很高的实用价值.

一键式测量 直流测试系统 高电子迁移率 晶体管 面板操作

欧阳思华 吴锦 李艳奎 刘新宇

中国科学院微电子研究所,中国 北京 100029

国内会议

第五届中国测试学术会议

苏州

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223-225

2008-05-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)